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PN结的形成

时间:2016-08-13 15:29:27      阅读:185      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

P型半导体

   在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。在P型半导体中,空穴为多字,自由电子为少子,主要靠空穴导电。掺入的杂质越多,空穴的浓度就越大,导电性就越强。

N型半导体

   在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷, 使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。在N 型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故自由电子为多子,空穴为少子。如下图:

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PN结的形成

   把N型和P型半导体制作在一起时,必定存在扩散运动。N区的自由电子向P区扩散,P区空穴向N区扩散。由于扩散到P区的自由电子与空穴复合,扩散到N去的空穴与自由电子复合,所以在交界面附近多子的浓度下降,P区出现负离子区,N区出现正离子区,他们是不能移动的。称为空间电荷区,也叫耗尽层,从而形成了内电场。随着扩散运动的进行,空间电荷区家宽,内电场增强,其方向有N指向P,正好阻止扩撒运动的进行。如下图:

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PN结的形成

原文:http://www.cnblogs.com/panzhang/p/5767858.html

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