什么叫DCD
DataContact Detect(DCD)
1.首先是DCD
2.然后是Primary detection
3.然后是Secondary detection
检测充电的条件是VBUS>VOTG_SESS_VLD
检测流程
1.DCD 阶段
打开IDP_SRC与RDM_DWN,检测D+上的电压和VLGC_LOW比较.如果VDP小于VLGC_LOW，或者TDCD_TIMEOUT则DCD阶段结束,这个时候应该关闭IDP_SRC和RDM_DWN
标准的CDP和SDP都是支持DCD的
2.PRI阶段
暂不考虑ACA
打开D+上打开VDP_SRC，然后检查D-的电压和VDAT_REF比较，如果VDM 大于VDAT_REF，则可以是DCP或者是CDP,如果VDM小于VDAT_REF则是SDP
关闭VDP_SRC
3.SEC阶段
在D-上打开VDM_SRC,然后比较D+的电压与VDAT_REF，如果VDP大于VDAT_REF则PD连接的是DCP，如果VDP小于VDAT_REF则PD连接的是CDP.
当检测到是DCP时，应该关闭VDM_SRC，
打开VDP_SRC或者通过RDP_UP上拉D+到VDP_UP
当检测到是CDP时，应该关闭VDM_SRC，使得D+和D-都保持低位until ready to connect and be enumerated.
SDP和CDP都是能够通过DCD的检测的。大部分DCP也是能够通过DCD的检测的。DCP其实是将D+和D-中间加电阻短接。而CDP来说可以认为D+和D-直接连接检测DCD的过程是将DP上的电流源IDP_SRC和RDM_DOWN打开，检测D+上的电压值。标准的SDP和CDP由于RDM_DOWN的电阻比较小，电压值不够VLGC_LOW，也就是说DP上的电压小于0.8V则认为是通过了DCD的检测。
可以认为通过DCD的就是标准的DCP/SDP/CDP的充电器，没有通过的都是特殊的充电器
其原理就是:
一般可以认为充电口D+/D-上的电阻值比较小，也没什么上拉的电阻把上面的电压值拉高，所以使用一个电流源IDP_SRC(Data Contact Detect CurrentSource 7~~13uA)在DP上，这个电流源在没有连接充电器的时候会使得DP+上的电压值高于2.0V。而如果PD和充电端口连上的时候，由于D+/D-上面有接地电阻，而且该接地电阻一般最多也就24.8KR，这样的电阻不能使得DP上的电压值达到VLGC_LOW=0.8V。这样判断VDP<VLGC_LOW就表示数据引脚连接上了。
注意:
看DCD的时候不仅要看BC1.2也要看BC1.1,有助于理解为什么IDP_SRC的电流，以及DCD的原理
检查当前的DP/DM的类型的方式:
1.通过RX CMD
2.通过读取ULPI 寄存器 DEBUG的linestate[Bit1 Bit0].
3.TI有个Vendor specific的寄存器可以测量debounced的DP/DM值
检测充电器时，比如DCD阶段需要打开IDP_SRC和RDM_DWN.这里RDP_DWN 和RDM_DWN分别是在chargerdetection module的DP和DM的下拉电阻。该电阻和由DPPULLDOWN和DMPULLDOWNbit位控制的PHY block的DM 下拉电阻是物理上不同的电阻.
检查充电的DP/DM下拉电阻和PHY的DP/DM的下拉电阻是不一样的。其实他们的电阻值的要求也是不一样的。
USB charger detection前提条件PHY不再驱动DP/DM，PHY上的DP/DM上的上拉下拉电阻必须关闭,处于全速模式状态
问题:
在插入的时候，高速设备的terminatorresistor 是否连上？D+与D-上的电阻是否连上？
充电检测的顺序和enumeration的顺序是怎样的？
原文：http://blog.csdn.net/supersupersonghao/article/details/25401425