初入领悟：
1、 bank、L-bank的概念
2、 s3c2440内部管理SDRAM寄存器配置
Frist part：原理分析
S3c2440为32位微处理器，其可访问空间为4G；但其中提供1G外设访问空间，这1G空间有8个bank组成；及平均每个bank有128M的访问空间；其中8bank的特性为：
1、 bank0~bank5支持外接SRAM、ROM等，bank6、bank7支持外接SRAM、ROM与SDRAM等；
2、 bank0~bank6的起始地址是固定
3、 bank7的起始地址可编程设定
4、 bank6、bank7大小可编程确定
5、 每个bank访问周期均可编程设定
6、 外接SDRAM是支持自刷新与省电模式
S3c2440向外引出27根地址线，可实现128M的寻找空间；那他怎么实现1G的空间范围访问呢？这就涉及到了nGCSx片选信号，由控制这几根信号线实现bank的切换，如下图所示：
左边为nor flash下；右边为nand flash；
说到此又想起一概念，就是有关于nor flash与nand flash启动方式；
一、norflash启动
简而言之，既是nor flash启动模式下cpu启动会执行地址0x00000000的指令此指令在使能了nor flash下是就是nor flash的首地址；其中原因为nor flash支持一种名为XIP的执行机制；
二、nandflash启动
nand flash下不支持XIP因此在执行nandflash的程序是，系统将会把nandflash的头4K（最大）启动代码拷贝至系统SRAM中既s3c2440中的steppingstone；
我使用的是GT2440开发板从原理图中可知：
Bank6外接2片H57V2562GTR芯片；
在使用SDRAM时要设置到如下13个寄存器的操作：
各个寄存器值的设置参考开发板每一个bank所接的外设进行设置；
此设置参考示例程序：
.long 0x22011110 @ BWSCON
.long 0x00000700 @ BANKCON0
.long 0x00000700 @ BANKCON1
.long 0x00000700 @ BANKCON2
.long 0x00000700 @ BANKCON3
.long 0x00000700 @ BANKCON4
.long 0x00000700 @ BANKCON5
.long 0x00018005 @ BANKCON6
.long 0x00018005 @ BANKCON7
.long 0x008C07A3 @ REFRESH
.long 0x000000B1 @ BANKSIZE
.long 0x00000030 @ MRSRB6
.long 0x00000030 @ MRSRB7
（.long 汇编中词法，既long数据型）
Second part：程序编写
现在开始编写代码，如我上诉一样启动时CPU将会报前4K程序拷贝至steppingstone中运行；现在编写的代码任务为将steppingstone中的代码拷贝回SDRAM中，并程序从SDRAM中开始执行；
汇编部分：
.equ MEM_CTL_BASE, 0x48000000
.equ SDRAM_BASE, 0x30000000
.text
.global _start
_start:
bl disable_watch_dog @ 关闭WATCHDOG，否则CPU会不断重启
bl memsetup @ 设置存储控制器
bl copy_steppingstone_to_sdram @ 复制代码到SDRAM中
ldr pc,=on_sdram @ 跳到SDRAM中继续执行
on_sdram:
ldr sp, =0x34000000 @ 设置堆栈
bl main
halt_loop:
b halt_loop
disable_watch_dog:
@ 往WATCHDOG寄存器写0即可
movr1, #0x53000000
movr2, #0x0
strr2, [r1]
movpc, lr @返回
copy_steppingstone_to_sdram:
@ 将Steppingstone的4K数据全部复制到SDRAM中去
@Steppingstone起始地址为0x00000000，SDRAM中起始地址为0x30000000
mov r1, #0
ldr r2,=SDRAM_BASE
mov r3,#4*1024
1:
ldr r4,[r1],#4 @ 从Steppingstone读取4字节的数据，并让源地址加4
str r4,[r2],#4 @ 将此4字节的数据复制到SDRAM中，并让目地地址加4
cmp r1,r3 @ 判断是否完成：源地址等于Steppingstone的未地址？
bne1b @ 若没有复制完，继续
movpc, lr @ 返回
memsetup:
@ 设置存储控制器以便使用SDRAM等外设
movr1, #MEM_CTL_BASE @ 存储控制器的13个寄存器的开始地址
adrl r2, mem_cfg_val @ 这13个值的起始存储地址
addr3, r1, #52 @ 13*4 = 54
1:
ldrr4, [r2], #4 @ 读取设置值，并让r2加4
strr4, [r1], #4 @ 将此值写入寄存器，并让r1加4
cmpr1, r3 @ 判断是否设置完所有13个寄存器
bne1b @ 若没有写成，继续
movpc, lr @ 返回
.align 4 @ARM地址指针对齐伪指令
mem_cfg_val:
@ 存储控制器13个寄存器的设置值
.long 0x22011110 @ BWSCON
.long 0x00000700 @ BANKCON0
.long 0x00000700 @ BANKCON1
.long 0x00000700 @ BANKCON2
.long 0x00000700 @ BANKCON3
.long 0x00000700 @ BANKCON4
.long 0x00000700 @ BANKCON5
.long 0x00018005 @ BANKCON6
.long 0x00018005 @ BANKCON7
.long 0x008C07A3 @ REFRESH
.long 0x000000B1 @ BANKSIZE
.long 0x00000030 @ MRSRB6
.long 0x00000030 @ MRSRB7
C函数部分：
#define GPFCON (*(volatile unsigned long *)0x56000050)
#define GPFDAT (*(volatile unsigned long *)0x56000054)
#define GPF4_out (1<<(4*2))
#define GPF5_out (1<<(5*2))
#define GPF6_out (1<<(6*2))
void wait(volatile unsigned long dly)
{
for(; dly > 0; dly--);
}
int main(void)
{
unsigned long i = 0;
GPFCON = GPF4_out|GPF5_out|GPF6_out; // 将LED1,2,4对应的GPF4/5/
//6三个引脚设为输出
while(1) {
wait(30000);
GPFDAT = (~(i<<4)); // 根据i的值，点亮LED1,2,4
if(++i == 8)
i = 0;
}
return 0;
}
最后一步：Makefile
sdram.bin : head.S leds.c
arm-linux-gcc -c -o head.o head.S
arm-linux-gcc -c -oleds.o leds.c
arm-linux-ld -Ttext0x30000000 head.o leds.o -o sdram_elf
arm-linux-objcopy -Obinary -S sdram_elf sdram.bin
arm-linux-objdump -D-m arm sdram_elf > sdram.dis
clean:
rm-f sdram.dis sdram.bin sdram_elf *.o
原理概念纯属个人见解，可能存在一定的不严谨性。
原文：http://www.cnblogs.com/0822vaj/p/3915837.html