数电基础 第三章
CMOS门电路
MOS管的开关特性
S (Source)：源极
G (Gate)：栅极
D (Drain)：漏极
B (Substrate):衬底
以N沟道增强型为例：
当加+VDS时，VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0
加上+VGS，且足够大至VGS >VGS (th),D-S间形成导电沟道（N型层）
输入特性和输出特性
输入特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容CI，对动态有影响。
输出特性：iD = f (VDS) 对应不同的VGS下得一族曲线 。
漏极特性曲线
截止区：VGS<VGS(th)，iD = 0,ROFF > 10^9Ω
恒流区：iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大
可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时，
这个电阻受VGS 控制、可变。
MOS管的四种类型
增强型:
耗尽型:
CMOS反相器的电路结构和工作原理
输入噪声容限
在Vi偏离VIH和VIL的一定范围内，Vo基本不变。在输出变化允许范围内，允许输入的变化范围称为输入噪声容限。
其他类型的CMOS门电路
与非门
或非门
漏极开路的门电路（OD门）
特点：可将输出并联使用实现线与或用作电平转换、驱动器。使用时允许外接RL
CMOS传输门及双向模拟开关
传输门
双向模拟开关
三态输出门
三态门的用途
数电基础 第三章
原文：https://www.cnblogs.com/lixuehan/p/11628062.html
