存储器
概述
存储器可分哪些类型？
一、分类
- 按存储介质分类：
（1） 半导体存储器 TTL（晶体管）、主要是：MOS（金属氧化物）
易失
（2） 磁表面存储器 磁头，载磁体 非易失
（3） 磁芯存储器 CoreMemory 硬磁材料、环状元件 非易失
（4） 光盘存储器 激光、磁光材料 非易失
- 按存取方式分类
（1）存取时间和物理地址无关（随机访问）
随机存储器： 在程序的执行过程中可读可写
只读存储器： 在程序的执行过程中只读
（2）存取时间和物理地址有关（串行访问）
顺序存取存储器 磁带
直接存取存储器 磁盘
（3）存储器在计算机中的作用进行分类
graph LR
start[存储器] --> zhucun[主存储器]
zhucun-->RAM[RAM]
zhucun-->ROM[ROM]
start-->fucun[辅助存储器]
RAM-->staticRAM[静态RAM]
RAM-->dymRAM[动态RAM]
ROM-->MROM
ROM-->PROM
ROM-->EPROM
ROM-->EEPROM
start-->FlashMemory
start-->Cache
fucun --> 磁盘
fucun --> 磁带
fucun --> 光盘
二、存储器的层次结构
- 存储器的三个主要特征关系：
速度 容量 价格/位
计算机系统当中为什么要使用这么多类型的存储器？
答：用户的要求
- 缓存-主存层次和主存-辅存层次
三、主存的基本组成
一、概述
- 主存的基本组成
- 主存和CPU的联系
- 主存中存储单元地址的分配
大端：高位字节地址为字地址。
小端：地位字节地址为字地址。
设地址线为24根 按字节寻址 2^24 = 16MB
若字长为16位 按字寻址 8MW
若字长为32位 按字寻址 4MW
- 主存的技术指标
速度 容量
（1）存储容量 主存 存放二进制代码的总位数
（2）存储速度
- 存取时间 存储器的访问时间
读出时间 写入时间
- 存取周期
连续俩次独立的存储器操作（读或写）所需的最小间隔时间。
读周期和写周期
（3）存储器的带宽 位/秒
半导体芯片简介
- 半导体存储芯片的基本结构
- 半导体存储芯片的译码驱动方式
线选法 和 重合发。
半导体存储芯片简介
- 半导体存储芯片的基本结构
地址线经过译码驱动电路，选择指定存储单元，完成数据选择。
片选线：芯片选择信号，标识方式有两种，CS(芯片选择) 和 CE(芯片使能信号) 。
读/写控制线：WE 表示信号是低电平时，对信号进行写操作，高电平是读。OE （允许读）
地址线（单向）
数据线（双向）
芯片容量：
地址线数 2
2. 半导体存储芯片的译码驱动方式
（1）线选法
缺点：不适合大容量存储器架构
（2）重合法
行列地址分别出列，只能有俩个译码器可以用。
- 随机存取存储器（RAM）
- 静态RAM
保存0和1的原理是什么？
核心是利用触发器：
基本单元电路的构成是什么？
T1 ~ T4 触发器
T5 、 T6 行开关
T7、T8 列开关
T7、T8 一列共用
对单元电路如何读出和写入？
六管静态RAM
读出：
给出行选信号-->T5、T6 开
列选 --> T7,T8 开
读选择有效
Va --> T6 -->T8
读放-->读放->DOUT
写入：
行选 -> T5、T6 开
列选 -> T7、T8开
写选择有效
Din -> 俩个写放
典型芯片的结构是什么样子
静态RAM芯片的如何进行读出和写入操作？
存储器
原文：https://www.cnblogs.com/godoforange/p/12073595.html
