SDRAM（3）：刷新和仲裁

　　初始化完成后，我们就可以对 SDRAM 进行其他的操作了，首先需要设计的是仲裁模块。

一、SDRAM刷新

　　关于 SDRAM 刷新，数据手册是这样说的：

　　解读一下：

　　① SDRAM 必须在 64ms 内需要刷新 4096 次，SDRAM 需要不断的刷新，来保证其内部的电量来达到保存数据不丢失的作用，SDRAM 内部的电容能保持电量的最长时间是 64ms，即SDRAM保存数据不丢失的时间是 64ms。

　　② SDRAM刷新是所有 Bank 同时一行一行的刷新，SDRAM 内部有行计数器，在刷新完第0行时，会自动计数到第1行。假如0时刻刷新完第0行，那到第二次刷新第0行时要求在64ms里，而我们的行地址有12根地址线A11-A0：12‘b1111_1111_1111 = 4095，共4096行，即在64ms里面需要把4096行刷新。

　　③ 两次刷新之间的间隔是 64000us/4096 = 15.625us，本次设计取 15us。

二、SDRAM仲裁

　　刷新、写、读三个操作之间是靠仲裁实现的

SDRAM（3）：刷新和仲裁

原文：https://www.cnblogs.com/xianyufpga/p/12235563.html