everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。
最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。
低容量的特性，使得MRAM组件更适用于嵌入式系统，其中SoC和ASIC可更容易地设计兼容的DDR控制器。
目前行业内已通过MRAM来部分替代DRAM，比如IBM就在去年推出了Flash Core模块，以及希捷在FMS2017上展示的原型。
当然我们并不指望
mram专用存储设备可以迅速在市面上普及（SSD或NVDIMM）。毕竟市面上的混合型SSD，仍依赖于NAND闪存作为主要存储介质。
作为与格罗方德合作生产的第二款分立型MRAM器件，他们还在GloFo的22nmFD-SOI工艺路线图中嵌入了MRAM。
鉴于该工厂取消了7nm和更低制程的计划，包括嵌入式内存在内的特殊工艺对其未来显然至关重要。
需要指出的是，尽管Everspin不是唯一一家致力于MRAM技术的公司，但它们却是分立式MRAM器件的唯一供应商。Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力
原文：https://www.cnblogs.com/sramsun/p/12331299.html
