我们知道nand没有独立地址线，cpu无法直接访问nand上的指令，所以nand不能片上执行。那么为何程序还能支持nand启动的呢？
为了支持NAND启动，S3C2440A配备了一个称为“ Steppingstone”的内部SRAM缓冲区,容量为4K。 开机时，Nandflash中的前4K数据将被加载到Steppingstone中，而引导代码将被加载到SRAM中将被执行，如下图所示：
我们知道s3c2440支持2种boot方式，nand或者nor，那么需要配置OM引脚来设置引导方式，如下图：
内存控制器的地址映射表如下：
我们得知OE1接地，OM0接了一个开关SW2，那么我们的OE0的电平状态由SW2开关决定:
当SW2闭合,OM0=1, OM[1:0]=10, 0地址对应nor，那么从nor启动。
当SW2断开,OM0=0, OM[1:0]=00, 0地址对应bootSRAM(4K)，那么0地址对应该SRAM, 那么从nand启动。
当上电启动时，NAND Flash 控制器将通过下面的引脚配置来获取连接的 NAND Flash 的信息。
NCON：NAND Flash 存储器选择（普通/先进）
0：普通 NAND Flash（256 字或 512 字节页大小，3 或 4 个地址周期）
1：先进 NAND Flash（1K 字或 2K 字节页大小，4 或 5 个地址周期）
GPG13：NAND Flash 存储器page size选择
0：页=256 字（NCON=0）或页=1K 字（NCON=1）
1：页=512 字节（NCON=0）或页=2K 字节（NCON=1）
GPG14：NAND Flash 存储器地址周期选择
0：3 个地址周期（NCON=0）或 4 个地址周期（NCON=1）
1：4 个地址周期（NCON=0）或 5 个地址周期（NCON=1）
GPG15：NAND Flash 存储器总线宽度选择
0：8 位宽度
1：16 位宽度
如下表所示更直观：
s3c2440裸机-nandflash编程（二. nand控制器）
原文：https://www.cnblogs.com/fuzidage/p/13020052.html