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在大佬的基础上根据所学内容进行了一定的删减。
Chapter 1
1） 设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V，则当其反偏电压值减少100mV时，反向电流的变化是基本不发生变化。
2） 二极管发生击穿后，在击穿区的曲线很陡，反向电流变化很大，但两端的电压降却几乎不变。
3） 二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类。
4） 齐纳击穿的反向击穿电压小于6V。
5） 二极管的电击穿是可逆的，而热击穿不可逆。
6） 在P型半导体中，多子是空穴，少子是自由电子。
7） 在P型半导体中：在室温下，当温度升高时，空穴（多子）的浓度将会近似不变，自由电子（少子）的浓度将会升高。
8） 温度每增加10摄氏度，硅或锗二极管的反向饱和电流约增为原来的2倍。
9）二极管的伏安特性曲线可以被分为三个工作区域，分别为正向工作区（包括死区）、反向工作区和反向击穿区。
10）无论温度有多高，本征半导体中自由电子的浓度等于空穴的浓度。
11）二极管的反向电流大小主要决定于少子的浓度。
12）N、P型半导体对外显电中性。
Chapter 2
1）NPN型三极管的发射结正偏、集电结反偏，则集电极电位最高，发射极电位最低。
2）某放大电路在负载开路时的输出电压为12V，接入9k欧姆的负载电阻后输出电压降为 9V，这说明放大电路的输出电阻为3k欧姆，若将负载电阻改为21k欧姆，则负载上的电流大小为0.5mA。
3）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压大，这说明A的输入电阻大。
4）给放大电路设置合适直流静态工作点的目的是保证晶体管始终在放大区内工作。
5）三极管的结构特点：基区薄、发射区的掺杂浓度大、集电结面积大。
6）放大电路的有效输入信号必须加在发射结上。
7）分析放大电路时，通常应该采用先直流后交流的方法。
8）双极型晶体管处于放大状态时，ic和ib是线性关系。
9）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
10）在放大区内，共发射极输出特性曲线基本水平略有上翘，说明此时输出电压Vce变化时，输出电流ic基本不变。
11）在集成电路中，应尽量避免使用过高阻值的电阻。
12）若信号源为电压源，则放大电路的输入电阻越大越好。
13）若放大电路采用电流源形式输出，则输出电阻越大越好。
14）饱和失真和截止失真都是非线性失真。
15）若某NPN单管共射放大电路的工作位于其交流负载线的中点，则可获得最大不失真输出。
16）可以通过减小输入信号的幅度来减小甚至消除饱和失真和截止失真。
17）交流负载线和直流负载线分别应用不同的场合，不可混用。
18）大部分情况下，交流负载线斜率的绝对值要大于直流负载线斜率的绝对值。
19）直流负载线和交流负载线都经过Q点（静态工作点）。
20）晶体管特性的变化不会对直流负载线产生影响。
Chapter 3
1) 稳压二极管工作时应处于反向击穿区。
2) 稳压二极管在使用时应串联限流电阻。
3) 稳压二极管应与负载并联在一起。
4) 正常情况下，稳压二极管和变容二极管都必须工作在反偏状态 。
5) 半波整流电路只能在输入信号的正半周或负半周时有输出。
6) 对于串联开关电源调整管功耗主要取决于调整管的饱和压降和输出电流。
Chapter 4
1) 有一单环深负反馈放大电路，其开环放大倍数为A，闭环放大倍数为Af，反馈系数为F。若F不变，A增大一倍，则Af将基本不变。
2) 有一单环深负反馈放大电路，其开环放大倍数为A，闭环放大倍数为Af，反馈系数为F。若A不变，F增大一倍，则Af将减小约一半。
3) 在三极管负反馈放大电路中，若保持负载不变，欲从信号源获取较小的电流，并能够在更换放大管时稳定输出电流，可在放大电路中引入电流串联或电压串联负反馈。
4) 负反馈只能改善反馈环路内的电路性能，对反馈环路之外无效。
5）只要放大电路的负载恒定，不管哪种反馈都能稳定输出电压。
6）当输入信号已经失真时，引入负反馈并不能使失真得到改善。
Chapter 5
1）在正弦电压输入信号上叠加一个直流电压，应选用加法运算电路。
2）由理想运放构成积分电路，当输入电压固定时，到达某一电压所需的积分时限与负载电阻无关。
3）由运放构成的同相输入放大器，运放的共模输入电压等于输入电压。
4）基本反相输入放大电路采用电压并联负反馈。
5）基本同相输入放大电路采用电压串联负反馈。
6）在反相求和电路中，运放的反相输入端为“虚地”点，流过反馈单阻的电流基本上等于各输入电流之和。
7）与晶体管射极跟随器相比，运放构成的电压跟随器特性更好，输入电阻更大（趋于正无穷），输出电阻更小（趋于0）
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