1.MOSFET在某些条件下类似于 压控电流源
a. S-R模型:
当VGS大于阈值时,源漏之间看做是电阻,
当VGS大于阈值时,源漏之间看做开路
b. SCS模型: 开关电流源模型
但VDS在超过某点后,IDS饱和,表现为电流源:
当VDS>VGS-VT 此时 iDS= k/2(VGS-VT)2 (1饱和方程)
一族曲线: 饱和区(数字), 三极区(模拟), 截止区
饱和区的条件:
VDS>VGS-VT
VGS>VT
当电流源时,才能实现放大
3.分析:
解析法: 列方程 1饱和方程
2 负载方程
图解法:负载线和输出的交叉点
第九课:MOSFET放大信号分析,布布扣,bubuko.com
原文:http://www.cnblogs.com/edelweiss/p/3593643.html