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第九课:MOSFET放大信号分析

时间:2014-03-11 16:28:18      阅读:429      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

1.MOSFET在某些条件下类似于 压控电流源

a. S-R模型:

  当VGS大于阈值时,源漏之间看做是电阻,

  当VGS大于阈值时,源漏之间看做开路

b.  SCS模型:  开关电流源模型

  但VDS在超过某点后,IDS饱和,表现为电流源:

  当VDS>VGS-VT  此时 iDS= k/2(VGS-VT)2  (1饱和方程)

 一族曲线: 饱和区(数字), 三极区(模拟), 截止区

 饱和区的条件:

     VDS>VGS-VT

     VGS>VT

 当电流源时,才能实现放大

3.分析:

   解析法: 列方程    1饱和方程

                            2 负载方程

  图解法:负载线和输出的交叉点

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第九课:MOSFET放大信号分析

原文:http://www.cnblogs.com/edelweiss/p/3593643.html

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